一、CuO_2链的磁性（论文文献综述）
徐春敏,徐汉淑,吴佳川,饶鑫,车海亮,刘旭光,孙学峰[1]（2016）在《Ca2Y2Cu5O10的单晶生长与低温物性》文中指出本文针对S=1/2 J1-J2阻挫自旋链材料Ca2Y2Cu5O10的浮区法单晶生长条件进行了详细的探究,并研究了其磁性质、比热、热导率行为.采用德拜模型与爱因斯坦模型叠加的方式拟合1.8-300K的声子比热,进而得到磁比热以及磁熵.对单晶的热导率采用德拜模型进行拟合发现垂直于自旋链方向的热导率是声子的贡献,而沿自旋链方向的热导率出现磁激发导热的贡献,进一步的分析认为该磁热导是非弹道的输运方式.
陈辰,邱红梅,潘礼庆[2]（2015）在《Al掺杂对自旋梯子化合物Sr14Cu24O41电输运性质的影响》文中进行了进一步梳理利用固相反应法制备了Al掺杂的Sr14（Cu1-xAlx）24O41（x=0,0.01,0.02,0.03）系列多晶样品。X射线衍射结果表明所有样品均为单相,Al掺杂使样品晶格常数a、b发生涨落,但使晶格常数cladder逐渐减小。X射线光电子能谱结果表明Al掺杂对体系内Sr、Cu、O离子价态不存在影响,并且Al离子以+3价的形式替代了Sr14Cu24O41体系内的Cu2+,不存在其他混合价态。电阻率测量结果表明所有样品均呈半导体性,Al掺杂使体系电阻率升高。进一步分析表明所有样品存在一渡越温度Tρ,Al掺杂使Tρ发生微弱涨落。在Tρ以上,自旋梯子中单个空穴热激活对体系电导存在贡献。在Tρ以下,自旋梯子中空穴的变程跳跃电导对体系电导存在贡献。实验数据拟合结果表明Al掺杂使体系内单个空穴热激活能Δ以及局域态势垒参数T0逐渐增大。
尹梦园[3]（2015）在《掺杂CoO与铁磁体/MoS2界面的电子结构和磁性的第一性原理研究》文中研究说明由于特殊的电学、光学和磁性以及在高密度储存器件和催化剂上的潜在应用,过渡金属氧化物,受到了大家的关注。具有代表性的就是反铁磁性的Co O,本文研究的Co O为纤锌矿（WZ）结构而非岩盐结构。首先,我们研究Co O存在一个O空位和一个Co空位的情况。通过VASP软件计算,发现当Co O存在一个Co空位时,系统出现铁磁半金属特性。为了进一步研究Co空位对Co O的影响,我们计算Co O存在两个不同位置、不同距离的Co空位的情况。结果表明,当Co空位位于9,11位置和9,16位置时,体系表现为半金属特性;当Co空位位于9,1位置时,系统为金属特性。其次,我们研究Co O掺杂Zn和Ti的电子结构和磁性。当Co O掺杂Zn原子时,系统为铁磁性绝缘体,但是Co2+的磁矩增大。当Co O掺杂一个Ti原子时,体统的导电率增强。当Co O掺杂的两个Ti原子位于9,11位置时,体系表现为半金属特性。当Ti位于9,10和9,16和9,1时,体系为金属特性并且Co O的电导率增强。最后,由于Mo S2是最稳定的层状过渡金属二硫属化物之一,Mo S2的结构与石墨烯相似,由Mo和S原子以S-Mo-S的形式堆垛形成三角菱柱形结构。我们运用第一性原理来研究Fe（111）/Mo S2（001）、Co（111）/Mo S2（001）和Fe3O4（111）/Mo S2（001）这三种超晶胞结构的电子结构和磁特性。我们主要研究以面几种不同的界面即（a）Fe-S、（b-d）Co-S、（e-g）Fe（A）-S、（h-j）Fe（B）-S、（k-m）O-S。结果表明对于模型a-d,Mo S2的半导体特性消失,完成了对Mo S2的自旋注入。对于模型e-g,Mo S2的半导体特性保持,并且为p型掺杂。对于模型h-j,界面处Fe（B）-S键很脆弱。Mo S2显示为金属特性,并且为n型导电性。对于模型k-m,在O-S界面处形成离子键。Mo S2显示金属特性,并且为p型导电性。
杨华[4]（2013）在《3d过渡金属氧化物电子结构的第一性原理计算》文中研究指明由于信息存储密度的飞速发展，人们将研究热点转移到能够把电子的电荷和自旋属性结合在一起的自旋电子学器件。自旋电子学器件需要高效率的自旋注入源。由于居里温度低、磁性来源不明确、界面处电阻率失配等问题，稀磁半导体和半金属材料不能满足实际应用。那么如何获得高自旋极化材料和解析异质结构界面处的自旋极化率的变化成为研究的热点问题之一。本文利用第一性原理计算的方法计算了磁性或非磁性元素掺杂反铁磁氧化物CuO、NiO和α–Fe2O3的电子结构，为获得新型高自旋极化率的材料提供理论支持。通过计算半金属和多铁材料Fe3O4/BiFeO3（001）超晶格的磁性和电子结构，以及Fe3O4/石墨烯异质结界面处的自旋极化率的变化，为实验设计提供理论依据。通过计算过渡金属掺杂反铁磁氧化物NiO和α–Fe2O3的能带结构、态密度和光学性质，发现在Cu掺杂NiO中出现自旋极化现象，表现为半金属性。半金属性是由Cu3d和O2p态的轨道杂化所致。在Cu和Cd掺杂的α–Fe2O3中，体系为半金属性，增强了对可见光的吸收能力，进而提高了光电化学性能。通过计算Cu1xFexO的磁性和电子结构，发现单掺杂和双掺杂的Cu1xFexO在费米能级均能产生自旋极化。单掺杂体系的自旋极化和磁性来源于Fe2+O2Cu2+之间的双交换相互作用，而双掺杂体系的自旋极化和磁性来源于Fe2+O2Cu2+O2Fe2+之间的双超交换相互作用。通过计算Fe3O4/BiFeO3（001）超晶格的磁性和电子结构，发现磁性变化来源于界面处原子的成键和电荷转移。Fe3O4/BiFeO3（001）超晶格的磁矩增大，最大增加13%。界面处O含量对磁矩的增加起着关键作用，其影响了界面处原子的成键和电荷转移，使得Fe3O4的磁矩增大，因此可通过调控界面处的O含量来调控界面耦合的强度。通过计算Fe3O4（111）/石墨烯异质结的不同界面的电子结构，发现界面终端不同，磁性不同；磁矩均增大，最大增加18.5%。界面中Fe（A）的磁矩变化比较大，这是由于Fe（A）比Fe（B）周围有更少的氧，更容易受界面影响。由于受界面的影响，Fe3O4自旋极化率降低。这说明界面终端在调控界面体系的磁性和自旋极化中起着重要的作用。
冷荣军,蒋成颖,孙彬,杨宏顺[5]（2011）在《Li1-xNaxCu2O2单晶磁化率的研究》文中认为本文报道了自助溶剂法制备的Li1-xNaxCu2O2（x=0,0.05,0.1,0.2）单晶沿c方向的磁化率随温度变化χ（T）的实验结果.随着Na掺杂量的增加,磁化率整体上移,高温区磁化率更加平缓;不同掺杂样品磁化率都在40K附近存在最大值,掺杂没有引起磁化率最大值对应的温度的变化,但引起了更低温下（T<14K）磁化率的上翘,表明掺杂引入的无序使得自旋能隙被重新填充.高温区磁化率（T>60K）拟合结果得到的铁磁相互作用J1、反铁磁相互作用J2均随掺杂量增加同步减小,阻挫变量α保持不变.X射线衍射结果表明Na均匀的的掺杂在母体中,晶胞参数a、b、c均随着掺杂量的增加而增大.磁相互作用的减小是与晶胞参数a、b、c的增加相关的.阻挫变量α的不变与磁化率最大值对应的温度以及体系最大概率磁转变温度的不变对应,从实验上证明了阻挫变量α是决定受挫体系性质的主要因素.
冷荣军[6]（2011）在《量子磁体Li1-xNaxCu2O2单晶磁化率研究》文中提出在低维度的量子自旋系统中会出现磁有序、磁无序及各种临界状态,这些体系中量子效应明显,常常具有很强的量子涨落,这使得体系中会出现复杂的性质,如自旋准长程序、自旋能隙、自旋液体相和量子有序到无序的奇异转变等现象。而在含阻挫的量子自旋系统中磁性阻挫与量子涨落共同存在,这就使得体系的热力学性质更加复杂。近年来人们在准一维、二维的边共享的铜氧化物中发现了这种磁性阻挫与量子涨落共同存在的现象,并对这类物质进行了很多相关的理论和实验的研究,但如何解释其基态和激发态性质和定量的计算内部磁性相互作用的大小依旧给人们带来挑战。在本论文中,我们主要研究了Na掺杂对LiCu2O2单晶磁性的影响。我们通过自助溶剂法制备了Li1-xNaxCu2O2（x=0,0.05,0.1,0.2）单晶,通过测量其c方向的磁化率对其低温热力学性质进行研究和探索,发现LiCu2O2中存在着磁性阻挫与量子涨落相互竞争的情况。Na的掺杂在母体中引入无序,使其基态性质更加复杂;根据Heisenberg交换作用原理我们对Li1-xNaxCu2O2单晶磁性进行了定性的解释,并运用拟合公式对其磁化率结果进行了拟合,得到具体的相互作用参数。第一章我们主要简述了磁性的基本理论、量子自旋系统的历史以及Heisenberg交换作用原理,紧接着阐述了量子自旋系统中阻挫的来源以及铜氧化物中磁性阻挫的来源,最后详细介绍了几种典型的含阻挫Heisenberg量子模型。第二章介绍了表征磁性体的主要手段:磁化率和电子顺磁共振的测量,例举了几种典型磁体的磁化率测量结果,随后详细阐述了阻挫量子自旋系统的相图,最后介绍了一个用于拟合S=1/2阻挫量子自旋系统磁化率、磁比热实验结果的公式。第三章首先介绍了一种经典的单晶生长方法:自助溶剂法,并详细阐述了自助溶剂法生长单晶各种客观条件的选择,阐述了Li1-xNaxCu2O2（x=0,0.05,0.1,0.2）单晶的生长细节和样品质量的鉴定及结构的表征。第四章中我们主要研究了Na掺杂引起LiCu2O2单晶c方向磁化率的变化以及晶胞参数的变化。其主要目的就是为了研究该体系掺杂效应与磁转变温度、磁相互作用参数、阻挫因子以及晶格参数的变化之间的关系。我们通过Heisenberg交换作用原理对其基态性质进行了描述,根据拟合公式对其磁化率结果进行拟合。磁化率结果显示,由于磁性阻挫与量子涨落共同存在,不同掺杂量的单晶基态并是传统的螺旋磁有序,而是非公度的量子磁有序,自旋能隙没有完全形成;而且Na的掺杂在体系中引入无序,随着掺杂量的增加体系无序程度也明显增强。我们根据拟合公式得到随掺杂量x的增加,近邻相互作用J1、次近邻相互作用J2明显减小,计算得到的晶胞参数a,b,c逐渐增大,这表明磁性离子相互作用距离增大与磁性相互作用参数的减小密切相关。值得指出的是阻挫因子α并不随着掺杂量的变化而变化,这与磁化率结果中磁转变处对应的温度没有发生变化相对应,这一点直接的证实了阻挫因子是影响阻挫量子自旋系统性质的重要因素。
程莉,熊锐,石兢[7]（2010）在《自旋梯状化合物Sr14Cu24O41+δ的Raman散射谱的研究》文中指出利用常规的固相反应法制备了单相多晶样品Sr14Cu24O41+δ,并在不同的温度下进行退火,改变样品中的氧含量.能量色散谱（EDS）显示样品中的氧含量随退火温度的增加而减少.磁化率温度特性的研究显示,600℃下退火的样品中的二聚体数最多.Raman光谱的研究显示,伴随着样品中氧含量的偏离,由无序或低能磁激发诱导的一些Raman振动模出现规律性的变化.进一步的分析证实这种Raman光谱的变化行为与晶体结构中由于氧含量的不同导致的Sr14Cu24O41中晶格失配比率对10/7的不同偏离程度有关.
程莉,汪丽莉,蒲十周,胡妮,张悦,刘雍,魏伟,熊锐,石兢[8]（2010）在《磁性和非磁性元素掺杂的自旋梯状化合物Sr14(Cu0.97M0.03)24O41（M=Zn,Ni,Co）的结构和电输运性质》文中提出利用固相反应法制备了Sr14Cu24O41及其系列B位掺杂Sr14（Cu0.97M0.03）24O41（M=Zn,Ni,Co）的样品.X射线衍射分析显示,所有样品均为纯相,晶格常数a与c没有明显的变化;Zn掺杂样品晶格常数b没有明显变化,而Ni,Co掺杂样品晶格常数b分别稍有增加.选区电子衍射研究揭示:磁性元素Ni,Co及非磁性元素Zn掺杂,可能主要替代了Sr14Cu24O41结构中自旋链上的Cu原子,从而影响了自旋链上的dimer排列,破坏电荷有序超结构.电输运测量显示:Zn2+,Ni2+,Co3+离子掺杂样品的电阻率降低,但仍体现半导体行为,所有的掺杂样品都存在一个渡越温度Tρ,当T>Tρ时,其导电机理是以单空穴热激发导电占主要地位,在T<Tρ时,配对的局域化空穴的一维变程跳跃导电占主要优势;在相同的掺杂量下,非磁性元素Zn掺杂对电阻率值的影响大于磁性元素Ni,Co掺杂的影响,而磁性元素Ni,Co掺杂对渡越温度Tρ的影响大于非磁性元素Zn掺杂的影响.
王宇[9]（2009）在《电磁双功能前驱体—四硫代富瓦烯衍生物的合成及其配合物的制备和表征》文中指出对于电磁双功能材料的研究是目前合成与材料化学领域的研究热点,该领域最初的起源要追溯到对于四硫代富瓦烯（TTF）的研究。从发现第一个有机金属（TTF）（TCNQ）以来,TTF的衍生物已经不仅仅可以作为有机导体的构筑模块,同时也在分子机器、有机磁体、有机场效应晶体管、太阳能电池和非线性光学材料等方面得到广泛应用,其中最活跃的研究要属合成多功能分子基材料。设计一个同时具有导电性和磁性的分子（材料）特别吸引了很多化学和物理学家的兴趣。实现这一目标的方法就是在有机供体π电子和定域的顺磁离子d电子间建立耦合π-d相互作用,而实现π-d相互作用通常可以采用两种方法:（a）通过空间的相互作用来实现π-d相互作用,但此类相互作用会比较弱;（b）使两个体系通过化学键相连,从而有效地实现π-d相互作用。为了设计具有强π-d相互作用的双功能材料,我们成功地合成了四种带有配位基团的新颖TTF衍生物。并利用1-（4-（tetrathiafulvaleneyl）phenyl）ethanone （TTF-PEO）和1-（4-tetrathiafulvalyphenyl）-4,4,4-trifluorobutane-1,3-dione （TTF-ph-tfacH）分别制备出溶剂依赖的CuBr42?电荷转移盐和金属MII（M = Zn, Co）配合物。这将为新型分子基电磁一体化材料提供理论和实验基础。研究工作主要包括以下四部分内容:1、合成出作为电磁一体化材料前躯体的四中新颖的TTF衍生物,并且通过质谱、红外、紫外和核磁进行结构表征。其中N-（tetrathiafulvalen-4-ylmethylene）-1,2,4-triazol-4-amine （1） , 4′-tetrathiafulvaleneyl- 2,2′:6′,2″-terpyridine （2） , 1-（4-（tetrathiafulvaleneyl）phenyl）ethanone （TTF-PEO） （3）和1-（4-tetrathiafulvalyphenyl）-4,4,4-trifluorobutane-1,3-dione （TTF-ph-tfacH） （4）分别带有单取代的三氮唑、三联吡啶、苯乙酮和β-二酮配位基团。这四种化合物的循环伏安测试成功地将TTF分步氧化为阳离子自由基和双阳离子,显示出可逆的单电子氧化过程。它们的电化学行为与母体TTF相似,因此它们应该可以作为优良的供体材料得到广泛的应用。同时每种化合物均为单取代的非对称分子,因此该类化合物在非线性光学材料领域可能有潜在的应用。2、通过改变溶剂的方法方便地实现了调节TTF-PEO的电荷转移量为+1和+2,分别合成出化合物（TTF-PEO）2CuBr4 （5）和（TTF-PEO）2（CuBr4）2·CH2Cl2·CH3CN （6）,晶体结构分析表明它们分别属于三斜的Pī和正交的Pbca空间群。含有单取代基的TTF-PEO有利于有效地缩短有机供体与顺磁离子间的距离,这一点体现在5中具有最短的Br···S距离,预示着在TTF-PEO+·电子供体和CuII离子间通过Br···S···Br···S超交换作用可能存在强的π-d相互作用。具有反铁磁行为的化合物5在110-120K观察到了相转变的发生,是目前已报道的该类化合物中最高的相变温度。3、TTF-ph-tfac烯醇阴离子具有很强的配位能力,与金属氯化物（Zn和Co）螯合配位分别生成了配合物Zn（TTF-ph-tfac）2（CH3OH）2 （7）和Co（TTF-ph-tfac）2（CH3OH）2 （8）,每个中心金属都桥连两个TTF-ph-tfac配体。电化学行为的测试预示着该体系可以作为电磁双功能材料的前躯体。8的磁性测试显示中心金属间是弱的反铁磁相互作。4、合成并通过单晶X-射线衍射表征了四个新颖的铜化合物,一维链化合物{[Cu（terpyOH）（phth）]·H2O}n （9）,双核化合物[Cu2（terpyO）2（phth）（H2O）2]·11H2O （10）,单核化合物[Cu（terpyOH）（SO4）（H2O）]·2H2O （11） and [Cu（terpyOH）2]·（HBTC）·2H2O （12） （terpyOH = 4′-羟基-2,2′:6′,2″-三联吡啶, phth =邻苯二甲酸,BTC =均苯三酸）。在9中,邻苯二甲酸阴离子桥连CuII中心形成了一个无限的Z型链。在10中存在的（H2O）16和（H2O）10水簇形成了一个2D含水层。一个通过氢键形成的近乎平面的S型和Z型水链分别在11和12的晶体结构中观察到。在12中,Cu（II）中心是六配位的,这与五配位的化合物9,10和11是不同的。并且在合成化合物11的过程中,发现在水热条件下4′-溴代-2,2′:6′,2″-三联吡啶发生原位反应生成terpyOH分子。通过对比这些化合物的晶体结构可以发现,当用terpyOH分子通过氢键作用构筑水分子簇的时候,控制体系的pH值使其脱去质子将是非常有利的。
金克新,赵省贵,陈长乐[10]（2009）在《Cu掺杂La0.67Sr0.33CuxMn1-xO3薄膜的光诱导效应研究》文中研究指明分别采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射的方法制备了La0.67Sr0.33CuxMn1-xO3（x=0.05,0.10和0.15）系列块材和薄膜,研究了Cu部分替代对薄膜光诱导特性的影响.实验结果表明随着Cu掺杂量的增加,薄膜的金属-绝缘转变温度向低温方向移动,且导电性降低.在金属相激光作用诱导电阻增大.光致电阻相对变化极大值随着Cu含量的增加而增大,当x=0.15时,光致电阻相对变化极大值达到58.3%,分析可能是由激光辐照诱导电子束缚于CuO2链外的局域态和晶格效应共同作用的结果.
二、CuO_2链的磁性（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、CuO_2链的磁性（论文提纲范文）
（1）Ca2Y2Cu5O10的单晶生长与低温物性（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 实验过程 |
| 3 Ca2Y2Cu5O10单晶生长 |
| 4 Ca2Y2Cu5O10单晶的低温物性 |
| 4.1 磁性质 |
| 4.2 比热 |
| 4.3 热导率 |
| 5 结论 |
（2）Al掺杂对自旋梯子化合物Sr14Cu24O41电输运性质的影响（论文提纲范文）
| 0引言 |
| 1实验 |
| 1.1样品制备 |
| 1.2样品测试 |
| 2结果与讨论 |
| 2.1X射线衍射谱 |
| 2.2X射线光电子能谱 |
| 2.3电阻率与温度的关系 |
| 3结论 |
（3）掺杂CoO与铁磁体/MoS2界面的电子结构和磁性的第一性原理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 自旋电子学的发展 |
| 1.2 稀磁半导体——自旋和电荷的桥梁 |
| 1.3 反铁磁性氧化物 |
| 1.3.1 Cu、Zn、Cd掺杂的NiO |
| 1.3.2 Fe 掺杂的 CuO |
| 1.3.3 α-FeMO_3系统的电子结构 |
| 1.3.4 纤锌矿CoO |
| 1.4 本论文的工作 |
| 第二章 理论计算方法 |
| 2.1 密度泛函理论 |
| 2.2 物理量的含义 |
| 2.2.1 能带理论 |
| 2.2.2 态密度 |
| 2.2.3 电荷密度 |
| 2.3 第一性原理计算软件 |
| 2.3.1 CASTEP |
| 2.3.2 VASP |
| 第三章 具有Co和O空位的CoO的电子结构和磁性 |
| 3.1 介绍及计算方法 |
| 3.2 结果及讨论 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章Zn和Ti掺杂CoO的电子结构和磁性 |
| 4.1 介绍及计算方法 |
| 4.2 结果及讨论 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 铁磁体/MoS_2超晶格的电子结构和磁性 |
| 5.1 介绍及计算方法 |
| 5.2 结果及讨论 |
| 5.2.1 Fe/MoS_2界面 |
| 5.2.2 Co/MoS_2界面 |
| 5.2.3 Fe_3O_4/MoS_2界面 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况 |
| 致谢 |
（4）3d过渡金属氧化物电子结构的第一性原理计算（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 综述 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 CuO 的研究进展 |
| 1.2.1 CuO 的结构 |
| 1.2.2 CuO 基态性质的理论研究 |
| 1.2.3 掺杂 CuO 的磁性和电子结构 |
| 1.3 NiO 的研究进展 |
| 1.3.1 NiO 的结构 |
| 1.3.2 NiO 基态性质的理论研究 |
| 1.3.3 掺杂 NiO 的磁性和电子结构 |
| 1.3.4 不同晶体结构的 NiO 的自旋极化率 |
| 1.4 α–Fe_2O_3的研究进展 |
| 1.4.1 α–Fe_2O_3的结构 |
| 1.4.2 掺杂α–Fe_2O_3的光电性质 |
| 1.5 Fe_3O_4复合结构的研究进展 |
| 1.5.1 Fe_3O_4的晶体和电子结构 |
| 1.5.2 多铁材料 BiFeO_3的晶体和电子结构 |
| 1.5.3 石墨烯的结构 |
| 1.5.4 Fe_3O_4/BiFeO_3(石墨烯)的研究 |
| 1.6 本论文的工作 |
| 第二章 计算理论基础与软件介绍 |
| 2.1 多粒子系统的薛定谔方程 |
| 2.2 Hartree Fock 单电子近似 |
| 2.3 密度泛函理论 |
| 2.3.1 Hohenberg Kohn 定理 |
| 2.3.2 Kohn Sham 方程 |
| 2.3.3 交换关联能泛函 |
| 2.4 计算程序简介 |
| 2.4.1 CASTEP 和 VASP 软件的主要功能 |
| 2.4.2 CASTEP 和 VASP 的理论基础 |
| 2.4.3 CASTEP 软件的工作流程 |
| 2.4.4 VASP 软件的工作流程 |
| 第三章 掺杂 3d 过渡金属反铁磁氧化物的电子结构 |
| 3.1 Cu_(1-x)Fe_xO 的磁性和电子结构的理论计算 |
| 3.1.1 计算模型和方法 |
| 3.1.2 CuO 的电子结构 |
| 3.1.3 Cu_(1-x)Fe_xO 的磁性和电子结构 |
| 3.2 Ni_(0.5)M_(0.5)O(M=Cu、Zn 和 Cd)的磁性和电子结构的理论计算 |
| 3.2.1 计算模型和方法 |
| 3.2.2 NiO 的电子结构 |
| 3.2.3 Ni_(0.5)M_(0.5)O(M=Cu、Zn 和 Cd)的磁性和电子结构 |
| 3.3 α FeMO_3的电子结构和光学性质的理论计算 |
| 3.3.1 计算模型和方法 |
| 3.3.2 α–Fe_2O_3的电子结构 |
| 3.3.3 α–FeMO_3的电子结构 |
| 3.3.4 α–FeMO_3的光学性质 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Fe_3O_4/BiFeO_3(石墨烯)界面 |
| 4.1 Fe_3O_4/BiFeO_3超晶格的磁性和电子结构的理论计算 |
| 4.1.1 计算模型和方法 |
| 4.1.2 Fe_3O_4和BiFeO_3的电子结构 |
| 4.1.3 Fe_3O_4/BiFeO_3(001)超晶格的磁性和电子结构 |
| 4.2 Fe_3O_4/石墨烯异质结的磁性和电子结构的理论计算 |
| 4.2.1 计算模型和方法 |
| 4.2.2 Fe_3O_4和单层石墨烯的电子结构 |
| 4.2.3 Fe_3O_4/石墨烯异质结的磁性和电子结构 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间完成的学术论文 |
| 致谢 |
（5）Li1-xNaxCu2O2单晶磁化率的研究（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 实验方法 |
| 3 实验结果与讨论 |
| 4 总 结 |
（6）量子磁体Li1-xNaxCu2O2单晶磁化率研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 量子自旋系统综述 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 磁性基本理论与 Heisenberg 交换作用模型 |
| 1.2.1 原子的磁矩 |
| 1.2.2 自旋-轨道耦合 |
| 1.2.3 洪德（Hund）定则 |
| 1.2.4 古迪-纳夫-金森-安德森规则(GKA rule) |
| 1.2.5 霍尔丹猜想 |
| 1.3 原子磁矩间的交换作用 |
| 1.4 量子自旋系统中阻挫的来源 |
| 1.5 含阻挫的过渡金属氧化物 |
| 1.5.1 “之”字模型 |
| 1.5.2 自旋梯子模型 |
| 1.5.3 Dimer-Plaquentte 模型 |
| 1.5.4 扭曲菱形模型 |
| 1.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第二章 S=1/2量子自旋系统的热力学性质 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 物质磁化率的测量 |
| 2.2.1 磁化率和磁化强度 |
| 2.2.2 分子磁矩与磁化率 |
| 2.2.3 几种典型阻挫量子自旋系统的磁化率测量结果 |
| 2.3 物质电子顺磁共振的测量 |
| 2.4 阻挫量子自旋系统相图 |
| 2.5 S=1/2阻挫自旋链磁化率、磁比热高温区拟合公式（HTSE） |
| 2.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 Li_(1-x)Na_xCu_2O_2 单晶生长与制备 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 自助溶剂法 |
| 3.2.1 助溶剂法的自发成核 |
| 3.2.2 助溶剂法生长单晶基本条件的选择 |
| 3.3 Li_(1-x)Na_xCu_2O_2（x=0,0.05,0.1,0.2）单晶生长 |
| 3.4 Li_(1-x)Na_xCu_2O_2单晶质量判定与结构的表征 |
| 3.5 Li_(1-x)Na_xCu_2O_2单晶的保存 |
| 3.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 Li_(1-x)Na_xCu_2O_2 单晶的磁化率和电子顺磁共振研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.3 磁化率的实验结果与讨论 |
| 4.4 电子顺磁共振的结果与讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 硕士期间发表的文章 |
| 致谢 |
（7）自旋梯状化合物Sr14Cu24O41+δ的Raman散射谱的研究（论文提纲范文）
| 1. 引言 |
| 2. 实验 |
| 2.1. 样品的制备 |
| 2.2. 样品表征 |
| 3. 结果及讨论 |
| 4. 结论 |
（8）磁性和非磁性元素掺杂的自旋梯状化合物Sr14(Cu0.97M0.03)24O41（M=Zn,Ni,Co）的结构和电输运性质（论文提纲范文）
| 1.引言 |
| 2.实验 |
| 3.结果及讨论 |
| 3.1.晶体结构 |
| 3.2.掺杂对输运性质的影响 |
| 4.结论 |
（9）电磁双功能前驱体—四硫代富瓦烯衍生物的合成及其配合物的制备和表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 TTF 的性质和应用 |
| 1.2 有机供体-受体体系的机理和研究方法 |
| 1.3 电磁双功能材料的研究进展 |
| 1.3.1 由离散分子组成的π-d 相互作用电荷转移盐 |
| 1.3.2 带有配位基团的多功能前躯体及其电荷转移盐 |
| 1.4 TTF 核的修饰 |
| 1.4.1 TTF 骨架修饰的进展 |
| 1.4.2 TTF 锂化 |
| 1.5 有机电荷转移复合物的单晶培养方法 |
| 1.5.1 过饱和溶液法 |
| 1.5.2 扩散法 |
| 1.5.3 电化学氧化还原法 |
| 1.6 本工作的研究意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 多功能材料构建块四硫代富瓦烯衍生物的合成和表征 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 试剂处理和原料合成 |
| 2.2.2 TTF 衍生物的合成 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 实验条件 |
| 2.3.2 电化学性质 |
| 2.4 小结 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 第三章 4-四硫代富瓦烯苯乙酮的电荷转移盐的制备和性能研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 试剂处理 |
| 3.2.2 物理测量 |
| 3.2.3 配合物的制备 |
| 3.2.4 X-射线晶体学研究 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 晶体结构 |
| 3.3.2 磁性质研究 |
| 3.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 β-二酮TTF 衍生物金属配物的制备和性能研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 试剂处理 |
| 4.2.2 物理测量 |
| 4.2.3 配合物的制备 |
| 4.2.4 X-射线晶体学研究 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 晶体结构 |
| 4.3.2 电化学分析 |
| 4.3.3 磁性质 |
| 4.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 包裹不同形式水分子的Cu(II)配合物的合成和表征 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 试剂处理和原料合成 |
| 5.2.2 物理测量 |
| 5.2.3 配合物制备 |
| 5.2.4 X-射线晶体学研究 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 晶体结构 |
| 5.3.2 化合物的合成 |
| 5.3.3 红外性质 |
| 5.3.4 磁性质 |
| 5.4 小结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间公开发表论文及着作情况 |
（10）Cu掺杂La0.67Sr0.33CuxMn1-xO3薄膜的光诱导效应研究（论文提纲范文）
| 1.引言 |
| 2.实 验 |
| 3. 结果及分析 |
| 3.1.粉末及薄膜结构分析 |
| 3.2.薄膜的电阻-温度特性 |
| 3.3.薄膜的光诱导电阻变化 |
| 4.结 论 |
四、CuO_2链的磁性（论文参考文献）
- [1]Ca2Y2Cu5O10的单晶生长与低温物性[J]. 徐春敏,徐汉淑,吴佳川,饶鑫,车海亮,刘旭光,孙学峰. 低温物理学报, 2016(05)
- [2]Al掺杂对自旋梯子化合物Sr14Cu24O41电输运性质的影响[J]. 陈辰,邱红梅,潘礼庆. 材料导报, 2015(10)
- [3]掺杂CoO与铁磁体/MoS2界面的电子结构和磁性的第一性原理研究[D]. 尹梦园. 天津理工大学, 2015(01)
- [4]3d过渡金属氧化物电子结构的第一性原理计算[D]. 杨华. 天津大学, 2013(09)
- [5]Li1-xNaxCu2O2单晶磁化率的研究[J]. 冷荣军,蒋成颖,孙彬,杨宏顺. 低温物理学报, 2011(05)
- [6]量子磁体Li1-xNaxCu2O2单晶磁化率研究[D]. 冷荣军. 中国科学技术大学, 2011(10)
- [7]自旋梯状化合物Sr14Cu24O41+δ的Raman散射谱的研究[J]. 程莉,熊锐,石兢. 物理学报, 2010(07)
- [8]磁性和非磁性元素掺杂的自旋梯状化合物Sr14(Cu0.97M0.03)24O41（M=Zn,Ni,Co）的结构和电输运性质[J]. 程莉,汪丽莉,蒲十周,胡妮,张悦,刘雍,魏伟,熊锐,石兢. 物理学报, 2010(02)
- [9]电磁双功能前驱体—四硫代富瓦烯衍生物的合成及其配合物的制备和表征[D]. 王宇. 东北师范大学, 2009(07)
- [10]Cu掺杂La0.67Sr0.33CuxMn1-xO3薄膜的光诱导效应研究[J]. 金克新,赵省贵,陈长乐. 物理学报, 2009(07)