一、面临SOC时代的Foundry（论文文献综述）
彭芳兰[1]（2021）在《中美冲突背景下华为智能手机业务竞争战略研究》文中研究表明
朱先涛[2]（2021）在《铸造粉尘/氯氧镁水泥复合材料的制备与疏水改性研究》文中研究说明人类社会发展过程中对自然资源和能源的无节制、无计划的利用不可避免的造成传统材料和能源的逐渐枯竭。因此,提高材料的使用寿命、节能以及对废弃物进行资源化利用是实现人类社会可持续发展的重要保证。本论文制备了铸造粉尘/氯氧镁复合材料和两种提高氯氧镁水泥及其复合材料耐水性能的涂层,实现了氯氧镁复合材料工业废弃物利用、耐久和热反射等功能。本论文的主要研究内容如下:（1）铸造粉尘/氯氧镁水泥复合材料表面超疏水涂层的制备与力学性能研究采用氯氧镁水泥（MOC）实现铸造粉尘的资源化利用。为了提高FD/MOC复合材料的耐水性,在FD/MOC复合材料表面制备了水泥基超疏水涂料。首先,制备了不同FD含量的FD/MOC复合材料,对不同FD含量的FD/MOC复合材料在不同龄期的力学性能进行了测试和分析。其次,以硅烷/硅氧烷水乳液为疏水改性剂,硅酸盐水泥为基体,水为溶剂,在MOC复合材料表面制备了超疏水涂层。结果表明,FD能显着提高FD/MOC复合材料的早期强度。FD/MOC复合材料的28天抗压强度随着FD含量的增加而降低。当FD含量为30%时,FD/MOC复合材料的28天抗压强度高达75.68 Mpa。超疏水涂层能有效提高FD/MOC复合材料的耐水性。无超疏水涂层的FD/MOC复合材料的软化系数小于0.26,而超疏水涂层改性的复合材料的软化系数大于0.81。（2）硅酸盐水泥基热反射疏水涂层的制备与性能研究采用简单的方法制备了一种隔热、疏水的水泥基涂料,并且系统地研究了水泥基疏水热反射涂层的机械稳定性和抗紫外辐射性能。另外,还对复合疏水涂层的太阳反射率进行了测量和分析,二氧化钛（R902+）与钛铬棕红外反射颜料复合涂层在可见光区域和红外光区域内表现出较高的反射率,总反射率可达67.25%;其余三种复合涂层反射率较低,总反射率均低于45%。同时对涂层的隔热性能进行了测定。制备的涂层具有疏水性,水接触角为118.7°。该疏水涂层具有较强的机械稳定性和耐候性,在8次的-40°C～100°C的温度变化和100小时的强紫外线照射的循环下,仍具有疏水性能。在氯氧镁水泥及其复合材料表面涂覆了二氧化钛-钛铬棕复合疏水涂层,随后进行了软化系数测试,复合疏水涂层保护的氯氧镁水泥复合材料的耐水性能显着提高,软化系数均在0.93以上。
杨至真[3]（2021）在《新型三维SiGe Core-shell多栅晶体管性能的仿真研究》文中认为随着传统的平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）缩小到20nm以下,栅极氧化物厚度减小,栅极对沟道区域的控制能力减弱。短沟道效应、量子隧穿引起的漏电流增大、高浓度掺杂导致载流子迁移率的衰减等问题愈发严重。而非传统的多栅结构器件增大了与沟道部分的接触面积,栅控能力大大提高,缓解了短沟道效应,改善了亚阈值特性和漏致势垒降低效应。在此背景下,本文基于GTS TCAD仿真软件,对SiGe Core-shell FinFET器件的栅长、内外层沟道SixGe-1x组分配比进行仿真,主要取得了以下研究成果:1.对FinFET器件的结构分类、性能优化、典型的物理效应和GTS TCAD器件仿真流程做了简明的阐述。2.对SiGe Core-Shell FinFET器件进行了器件建模,分别研究了栅长对亚阈值特性的影响和内外层沟道SixGe-1x组分配比对器件Id-Vg转移特性曲线的影响;通过对比分析,得到了最佳的内层沟道SixGe-1x组分配比。3.通过对载流子浓度分布的研究,选取合适的量子模型,对垂直于沟道方向的空穴浓度、能带结构进行了参数提取。通过数据分析,得到了内外层沟道SixGe-1x组分配比对电流传输路径的影响;并结合内外层沟道SixGe-1x组分配比对饱和电流及电学特性的结果,得到了最佳的外层沟道SixGe-1x组分配比。4.基于内外层沟道SixGe-1x组分配比的分析,选取最佳SixGe-1x沟道组分配比,并与Si-FinFET、Ge-FinFET的Id-Vg转移特性曲线和电学特性做对比。仿真结果表明,Idsat相对于Si-FinFET器件,大约有两倍的提升,亚阈值摆幅（SS）大约有30m V/dec的下降;有效栅长Lgeff越小,饱和电流Idsat和亚阈值摆幅（SS）的优化越明显。
于德营,韩雅娟[4]（2021）在《车规级芯片产业自主化前景》文中提出随着汽车向电动化和智能化发展,整车电子电气架构将发生颠覆性变化,由分布式ECU逐渐向中央计算平台过渡,传感、控制和计算芯片的种类、数量和价格占比将进一步提高2020年初以来,伴随着疫情影响导致的全球性芯片产能下降等问题,出现了全球性车规级芯片短缺的局面,国内外众多汽车厂商陆续表示因芯片短缺而减产,给国内汽车产业发展带来了严重负面影响。我们建议,在原有芯片产业发展的基础上,继续加强政府顶层设计,推进产业链上下游协同发展,
钟晓东[5]（2021）在《量子密钥分发专用数据处理芯片关键技术研究》文中指出量子密钥分发（Quantum Key Distribution,QKD）技术是一种原理上绝对安全的密钥分发技术,其是量子力学和密码学相结合的产物,在保密通讯领域有着广泛的应用前景。QKD凭借其独有的安全性优势,有望成为未来保密通讯的最佳方案。我国在QKD领域耕耘多年,已经走在了世界的前列。“墨子号”科学试验卫星一系列实验的圆满成功,量子保密通信“京沪干线”的建成,标志着我国天地一体化的量子密钥分发网络已经初步建成。未来,我国将建设覆盖范围更广、性能更优的QKD网络。QKD技术的发展趋势是技术的民用化、组网的全球化和设备的小型化。设备的小型化是QKD网络大规模建设和应用的重要基础,而设备小型化的关键是QKD关键部件的芯片化。论文针对QKD系统中的数据处理子系统的集成化进行研究,提出基于ASIC（Application-Specific Integrated Circuit,ASIC）技术设计一款 QKD 专用数据处理芯片（称为QKDSOC芯片）,以替代原有QKD设备中的数据处理子系统,实现数据处理子系统的集成化。QKD专用数据处理芯片集成了光源编码、探测器控制、QKD数据后处理、密钥分发、网络协商、流程控制等多种功能,将为QKD设备的集成化、低功耗化和低成本化奠定重要的基础。更为重要的是,该款芯片是我国首款面向QKD领域的数据处理芯片,且具有完全的自主知识产权,对于我国在QKD领域实现技术自主化具有重要意义。QKDSOC芯片的设计目标是用ASIC芯片替代原有QKD设备内的数据处理子系统,协调光源子系统和探测器子系统,实现量子密钥生成的功能。QKDSOC芯片实现了以下几方面的功能。首先是光源子系统的管理。芯片为光源子系统提供驱动编码信息,驱动其产生特定的光脉冲信号,并对光源子系统的运行状态进行监控和管理。其次是探测器子系统的管理。芯片对探测器子系统的运行状态进行监控和管理,并从探测器子系统获取探测到的光子的原始信息。最后是密钥生成流程的管理。密钥生成流程包括和密钥管理设备之间的协商、设备的校准、光源编码信息的生成、探测器数据的获取与预处理、数据的后处理、密钥网络协商、密钥上传等。QKDSOC芯片采用“处理器+协处理器”架构,使用CPU（Central Processing Unit,CPU）及其子系统实现QKD任务的调度和流程的管理,使用QKD协处理器实现高速QKD数据的后处理,使用TOE（TCP/IP Offload Engine,TOE）网络卸载引擎实现密钥的网络协商功能。测试结果表明,QKDSOC芯片达到了设计预期的目标,其数据处理能力支持100kbps速率的密钥生成。本论文的创新点主要体现在以下几个方面:（1）QKDSOC芯片是我国首款面向QKD领域的数据处理芯片,具有自主知识产权。其基于现有的成熟QKD架构设计,首次在系统级层面实现了 QKD系统的集成化、低功耗化。（2）实现了基于TOE技术的网络协商方案。这是首次将TOE技术引入QKD领域。对于提高QKD网络协商的速度、稳定性、安全性具有重要意义。（3）实现了基于协处理器的密钥数据后处理方案。该协处理器集成了 QKD所需的所有数据后处理算法,包括基矢比对、信息融合、纠错、隐私放大、密钥分发、身份认证等。这对于提高密钥处理的速度和安全性具有重要意义。
金梓[6]（2021）在《LFMCW雷达信号处理机的ASIC设计与原型实现》文中认为LFMCW雷达需要处理大量的数字信号运算,通常外置大量的DSP,FPGA资源作为处理单元,从而增加了雷达系统的成本与复杂程度。因此,为了提升系统的集成度,以获得更快速度,低功耗和低成本表现的LFMCW信号处理系统,本文提出并设计了一款适用于K波段毫米波雷达的中频信号处理芯片方案,并完成对应的从算法仿真建模、硬件结构设计、ASIC设计、FPGA平台原型验证等工作,具体完成安排的工作如下:（1）简述LFMCW雷达的基本工作原理,并选取对称三角波信号作为系统的扫频调制信号,分析推导不同的静动目标情况下定位测速原理和数学公式分析。然后重点论述了线性调频连续波雷达信号处理的算法架构建模和仿真分析,包括了多周期脉冲累积增大SNR、基于脉冲对消器结构的MTI滤波器、基于FFT结构的MTD滤波器、基于最大值和均值的二维恒虚警算法、基于模糊速度矩阵的多目标频率匹配算法等。（2）在确定的信号处理结构的基础之上,完成对应结构的RTL级HDL代码设计工作,并设置模拟和合理的仿真环境,完成RTL代码的验证工作。然后采用Synopsys的数字芯片开发环境,并基于TSMC90nm的工艺制程完成对雷达信号处理机部分的ASIC设计,其工作包含了时序约束、逻辑综合、一致性分析、低功耗设计、STA分析、Floorplan设计、Placement设计、CTS综合、Routing设计、Layout设计等。（3）关于基于FPGA的板级原型验证平台,本设计搭建了一套完整的24GHZ频段的LFMCW雷达系统,设计使用英飞凌公司自带集成VCO的BGT24LTR11一体收发机芯片作收发机;使用AD9245作为高速A/D采样电路;使用ADF4159产生系统所需的三角调频波;使用赛灵思XC6SLX25I FPGA芯片作为RTL移植的原型载体。最终设计测试环境,对芯片原型进行等价验证测试。最终,本设计在100MHZ的时钟频率约束下,得到芯片的版图大小约为1062.48)*1059.848),面积约11259748)2,功耗约为4.1074m W。
陈禄明[7]（2021）在《基于真实世界医疗大数据的中文医学本体重构的研究》文中研究说明高质量的医学本体,可以打破不同医学文本数据之间的藩篱,使得医学数据能以统一的标准形式被各类信息处理方法充分利用,进而形成一套有效的医学知识表示体系,从而产生有价值的临床应用。相较于西方发达国家,尤其是英语国家,国内的生物医学本体无论从规模、数量还是内容上都处于相对滞后的水平,因此我们急需发展出一套具有中国特色的中文医学本体构建策略与技术路径,来实现中文信息处理技术与中文临床生物医学数据间的有效融合。在我们的调研工作之中,我们会系统性调研并分析整理出国际上已有生物医学本体的构建策略与技术路径,再依据中文语言特性、国内临床现状及中文临床生物医学数据的特点提出一套自己的具有创新性的中文医学本体构建策略,其包括问题定义、术语富集、关系属性提取等七个关键步骤。以此为基础,我们将中文生物医学本体重构定义为三个不同层次的问题,即:中文生物医学本体关注问题的重构、内容的重构及结构的重构。内容的重构是医学本体构建的基础,因此本论文以生物医学本体内容的重构作为研究重心。我们首先尝试了面向内容重构中文生物医学实体挖掘。此外,大部分本体都是表型概念,缺乏表型属性,因此我们提出了一种通过表型属性的定义,实现临床表型信息的精细表征,即实现疾病的细粒度知识表征图谱。属性作为本体内容的进一步丰富和扩充,为本体在实际场景中的应用提供了更细粒度的信息表示策略,因此我们提出一种利用本体属性的细粒度语义信息模型PhenoSSU（表型的语义结构单元）,可为本体对疾病知识的描述提供更为丰富的表达能力,为临床诊断提供依据。。在中文生物医学实体挖掘的工作之中,我们首先构建了基于深度学习模型的有监督生物医学实体挖掘方法,该方法以Bert预训练语言模型为核心结合Bi-LSTM神经网络,实现生物医学实体的挖掘。然而,有监督方法存在依赖人工标注质量和上下文多样性方面的问题。因此,我们又基于n-gram统计语言模型以及句法分析模型实现了基于无监督方法的中文生物医学实体挖掘。最后,为了更近一步的提高实体挖掘的收录范围,将罕见词汇、不规范词汇也尽可能进行挖掘,我们提出利用双语映射方法引入高质量英文生物医学本体辅助中文生物医学本体建设的思路,并以UMLS术语集、SimAlign双语词对齐工具以及MetaMap术语标注工具为基础,完成了基于双语资源的中文生物医学实体挖掘。最终采用多方法有机组合的策略,在海量真实世界中文医学大数据语料的加持之下,完成了中文生物医学实体挖掘。为了评测基于多方法融合策略的实体挖掘成果,我们将挖掘后的扩展词表与现有最全面、权威的中文术语集合进行对比,来测试重构所得中文生物医学实体的表达能力是否能得到显着提高。相比已有术语集合,挖掘所得的生物医学术语扩展词表,对真实世界医学信息的描述能力得到明显提升,从原来的58.2%上升到80.2%,提高了37.8%。在构建细粒度本体属性语义模型PhenoSSU工作中,我们旨在用一系列属性和值来获取表型描述背后的完整语义信息。选取维基百科中193个传染病临床指南作为研究语料,基于表型概念和属性值的共现性,将SNOMED-CT中的12个属性引入到PhenoSSU模型中。通过分析PhenoSSU实例是否能够捕获对应表型描述背后的完整语义来评估PhenoSSU模型的表达能力。为了自动构建细粒度表型知识图,提出了一种融合MetaMap标注工具以及机器学习属性识别算法的混合策略。最后,用BRAT标注工具手工构建了 193种传染病的细粒度表型知识图。共形成4020个PhenoSSU语义单元,其中3757个（89.5%）能够很好地捕获临床指南中列出的相应表型描述的完整语义。相比之下,其他信息模型,如CEM和HL7-FHIR模型,分别只能捕获48.4%（2034/4020）和21.8%（914/4020）的完整语义信息。混合策略在表型概念识别子任务上的F1得分为0.732,在属性值预测子任务上的加权平均准确率为0.776。因此,PhenoSSU是一个有效的进行临床指南知识表征的语义信息模型。
田德文,孙昱祖,宋青林[8]（2021）在《系统级封装的应用、关键技术与产业发展趋势研究》文中研究指明电子产品小型化、集成化不断推动着半导体封装技术的进步。随着摩尔定律不断趋近极限,系统级封装技术愈受关注,成为未来超越摩尔定律的一种关键技术途径。本文介绍了系统级封装在消费电子产品的应用以及涉及的关键封装技术,包括高密度表面贴装技术、2.5D/3D封装技术、埋入型封装技术、集成无源器件技术、电磁屏蔽技术、封装天线技术、扇出型封装技术、异形封装技术等,并阐述了目前系统级封装遇到的挑战以及产业发展趋势,强调了公共研发平台在高度定制系统级封装产品开发过程中的重要作用。
梁天鹏[9]（2021）在《低损耗可光刻玻璃及通孔技术研究》文中认为转接板（Interposer）是三维集成微系统中高密度互联和集成无源元件的载体,是实现三维集成的核心材料,具有摩尔时代硅基板相当的意义。可光刻玻璃作为转接板相对硅和陶瓷具有热膨胀可调、工艺复杂度低等优点而成为研究热点,由于可光刻玻璃的损耗和集成度的问题限制了其应用推广。如何降低可光刻玻璃的损耗（提高微波性能）和减小孔径（提高集成度）是亟需解决的问题。本文针对上述问题开展了研究:选择Li-Al-Si体系的可光刻玻璃,根据多离子耦合效应设计了基础配方,探索了中和碱效应、压制效应、稳定效应、给氧能力在可光刻玻璃降低损耗中的机理和方法;通过优化光敏性能,制备了低损耗、小孔径的可光刻玻璃,主要研究结果如下:首先,通过添加光敏剂（Ce2O3）、成核剂（Ag2O）、还原剂（Sb2O5）以达到可光刻的性能。在此过程中通过优化光敏剂和还原剂的含量增强了光敏性,通过工艺参数和工艺流程的优化抑制了在熔制过程中Li2SiO3的析出制备了具有优异可光刻性能的光敏玻璃,并建立了玻璃从熔制到晶圆精加工到通孔成型的工艺平台。其次,探索了网络修饰体、网络中间体、网络形成体在可光刻玻璃中的压制效应、稳定效应、给氧能力和介电损耗之间的内在联系。适量的碱土金属网络修饰体一方面阻碍离子迁移降低阳离子在交变电场下引起的热极化和位移极化,另一方面通过连接由一价阳离子产生的非桥氧键以达到结构的稳定和平衡,从而降低可光刻玻璃的介电损耗。发现当Ca O的含量为2%时,介电损耗有最小值0.003,同时机械强度达到90 MPa。适量的网络中间体（Al2O3）通过形成[AlO4]四面体,和原来的玻璃网络中的[SiO4]相连,形成环状结构,[AlO4]会吸引一价阳离子保证电价平衡;同时由于Al3+离子半径比Si4+离子半径大,会引起相邻O2-的球形变形,在交变电场下介电损耗会有所降低。研究发现当Al2O3的含量为4%时,介电常数和介电损耗分别为5.0和0.0025。当网络形成体（B2O3）和碱金属阳离子之比小于1时,在玻璃网络中会以[BO4]为主导,由于两个[BO4]不能直接相连,因此需要[BO3]或者[SiO4]或者阳离子与之结合,使得玻璃的网络结构连接更紧密,限制了碱金属阳离子的迁移,从而降低介电损耗。研究发现,当B含量为2%时,介电损耗进一步降低为0.0015。最后,通过对影响可光刻玻璃集成度的因素（包括曝光能量、退火温度、退火时间、刻蚀时间）进行研究,得出通孔最佳条件:曝光能量为5 J/cm2、退火温度为565℃、退火时间为45 min、刻蚀时间为12 min,通孔最小可达20μm,孔密度最高可达10000/cm2。同时对经过处理后的可光刻玻璃样品进行通孔金属化验证,通过气相沉积制备种子层、电镀完善孔内金属化、机械抛光进行面铜的去除,最终得到孔内金属实心填充的转接板,为高性能三维集成微系统的研制奠定了材料基础。
金成吉,张苗苗,李开轩,刘宁,玉虓,韩根全[10]（2021）在《后摩尔时代先进CMOS技术》文中认为随着半导体器件从平面结构走向3D结构,集成电路技术进入"后摩尔时代"。论述了目前集成电路技术的需求和集成电路产业的研发现状,梳理了在先进技术节点下的绝缘层上硅、鳍型场效应晶体管和环栅场效应晶体管等新型器件的优势、研究现状及不足之处,分析了随着器件尺寸的减小,工艺技术的发展和其面临的挑战,为后摩尔时代集成电路技术的持续发展提供新的视野和观点。
二、面临SOC时代的Foundry（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、面临SOC时代的Foundry（论文提纲范文）
（2）铸造粉尘/氯氧镁水泥复合材料的制备与疏水改性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.2 氯氧镁水泥 |
| 1.2.1 氯氧镁水泥的概念 |
| 1.2.2 氯氧镁水泥耐水性差的原因分析 |
| 1.2.3 提高氯氧镁水泥耐水性的方法 |
| 1.3 超疏水表面相关理论 |
| 1.3.1 表面张力 |
| 1.3.2 表面自由能 |
| 1.3.3 与表面的相互作用 |
| 1.3.4 亲水、疏水和超疏水 |
| 1.3.5 固体润湿性的几种理论模型 |
| 1.4 国内外研究现状 |
| 1.4.1 氯氧镁水泥改性的国内外现状 |
| 1.4.2 硅酸盐水泥基超疏水材料研究现状 |
| 1.5 课题主要研究内容 |
| 第2章 铸造粉尘/氯氧镁水泥复合材料表面超疏水涂层的制备与性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验材料和实验方法 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 制备方法 |
| 2.3 样品表征和测试 |
| 2.4 结果与讨论 |
| 2.4.1 轻烧氧化镁和铸造粉尘分析 |
| 2.4.2 复合材料XRD分析 |
| 2.4.3 复合材料横截面和表面微观形貌分析 |
| 2.4.4 表面润湿性分析 |
| 2.4.5 超疏水涂层表面微观形貌和表面化学分析 |
| 2.4.6 力学性能和软化系数分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 硅酸盐水泥基热反射疏水涂层的制备与性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验材料和实验方法 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 实验方法 |
| 3.3 样品表征和测试 |
| 3.4 结果与讨论 |
| 3.4.1 二氧化钛种类及最优掺量分析 |
| 3.4.2 热反射颜料种类及最优掺量分析 |
| 3.4.3 二氧化钛与热反射颜料复合涂层性能分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 总结与展望 |
| 4.1 总结 |
| 4.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间研究成果 |
| 致谢 |
（3）新型三维SiGe Core-shell多栅晶体管性能的仿真研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 CMOS器件的发展 |
| 1.1.2 CMOS器件等比例缩小的必要性 |
| 1.1.3 CMOS器件尺寸不断缩小面临的挑战 |
| 1.2 纳米CMOS技术解决方案 |
| 1.2.1 新材料工艺 |
| 1.2.2 新器件结构 |
| 1.2.3 Core-shell新型结构 |
| 1.3 纳米CMOS技术的研究现状 |
| 1.4 本文主要内容 |
| 第二章 多栅FINFET基本知识 |
| 2.1 FINFET简介 |
| 2.1.1 FinFET结构分类 |
| 2.1.2 FinFET器件重要参数 |
| 2.1.3 FinFET器件工作原理 |
| 2.2 FINFET性能优化 |
| 2.2.1 应变技术 |
| 2.2.2 高K金属栅技术 |
| 2.3 典型物理效应 |
| 2.3.1 沟道长度调制效应 |
| 2.3.2 非准静态效应 |
| 2.3.3 体效应 |
| 2.3.4 短沟道效应 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 三维SIGE CORE-SHELL FINFET的 I-V特性和SCE特性的研究 |
| 3.1 仿真软件GTS TCAD的介绍 |
| 3.2 器件结构模型的构建 |
| 3.3 器件结构参数的仿真研究 |
| 3.3.1 I_(ds)-V_(gs)曲线和电学参数 |
| 3.3.2 对I_(ds)-V_(gs)曲线的仿真研究 |
| 3.3.3 对SCE特性的研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 三维SIGE CORE-SHELL FINFET物理特性和SIGE组分配比的研究 |
| 4.1 仿真运用的量子模型 |
| 4.2 对载流子浓度分布的研究 |
| 4.3 对能带的研究 |
| 4.4 对INNER GE 组分和OUTER GE 组分的研究 |
| 4.5 SIGE CORE-SHELL FINFET器件与SI-FINFET、GE-FINFET对比 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 主要结论 |
| 5.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 在学期间的研究成果 |
| 致谢 |
（4）车规级芯片产业自主化前景（论文提纲范文）
| 全球车规级芯片市场分析 |
| 国内车规级芯片产业存在诸多短板 |
| 国内功率半导体及自动驾驶芯片快速成长 |
| 发展建议 |
（5）量子密钥分发专用数据处理芯片关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 量子密钥分发技术发展概述 |
| 1.1.1 量子密钥分发发展回顾 |
| 1.1.2 量子密钥分发网络建设 |
| 1.1.3 量子密钥分发发展趋势 |
| 1.2 量子密钥分发面临的挑战 |
| 1.2.1 单光子探测技术 |
| 1.2.2 量子中继 |
| 1.2.3 技术标准化 |
| 1.2.4 设备小型化 |
| 1.3 本论文内容 |
| 第2章 QKD系统集成化方案 |
| 2.1 40MHz-QKD设备 |
| 2.1.1 量子密钥分发流程 |
| 2.1.2 40MHz-QKD设备结构 |
| 2.1.3 数据处理子系统需求 |
| 2.1.4 40MHz-QKD设备面临的挑战 |
| 2.2 基于ASIC技术的QKD方案 |
| 2.2.1 系统架构 |
| 2.2.2 关键技术 |
| 2.2.3 可行性分析 |
| 第3章 QKD_SOC芯片设计 |
| 3.1 QKD_SOC芯片总体结构 |
| 3.1.1 设计指标 |
| 3.1.2 结构及功能划分 |
| 3.1.3 工作流程 |
| 3.2 光源编码 |
| 3.2.1 发光编码 |
| 3.2.2 存储控制 |
| 3.2.3 流量控制 |
| 3.3 探测器模型 |
| 3.4 探测器控制 |
| 3.5 QKD协处理器 |
| 3.5.1 QKD协处理器结构 |
| 3.5.2 基矢比对 |
| 3.5.3 密钥累积 |
| 3.5.4 密钥纠错 |
| 3.5.5 隐私放大 |
| 3.5.6 密钥下发 |
| 3.5.7 身份认证 |
| 3.5.8 存储空间分配 |
| 3.5.9 复分接 |
| 3.6 TCP/IP卸载引擎 |
| 3.6.1 TOE整体结构 |
| 3.6.2 MAC模块 |
| 3.6.3 ARP模块 |
| 3.6.4 IP模块 |
| 3.6.5 ICMP模块 |
| 3.6.6 UDP模块 |
| 3.6.7 TCP模块 |
| 3.7 CPU及其子系统 |
| 3.7.1 中央处理器 |
| 3.7.2 互联总线 |
| 3.7.3 低速外设 |
| 第4章 QKD_SOC验证 |
| 4.1 验证目标 |
| 4.2 TCP/IP卸载引擎验证 |
| 4.3 CPU子系统验证 |
| 4.4 QKD子系统验证 |
| 4.5 QKD业务验证 |
| 4.6 验证总结 |
| 第5章 芯片测试 |
| 5.1 QKD_SOC芯片 |
| 5.2 芯片测试大纲 |
| 5.3 测试板 |
| 5.3.1 测试板结构 |
| 5.3.2 核心板功能 |
| 5.4 芯片测试项目 |
| 5.4.1 系统启动测试 |
| 5.4.2 JTAG调试模式测试 |
| 5.4.3 CPU子系统测试 |
| 5.4.4 调试网口测试 |
| 5.4.5 密钥协商网口测试 |
| 5.4.6 QKD子系统测试 |
| 5.5 测试总结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 |
（6）LFMCW雷达信号处理机的ASIC设计与原型实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 LFMCW雷达技术背景与集成化发展趋势 |
| 1.2 国内外应用与发展现状 |
| 1.2.1 国外发展进程 |
| 1.2.2 国内发展进程 |
| 1.3 主要工作安排 |
| 1.4 本文章节内容安排 |
| 第二章 LFMCW雷达工作原理和信号处理架构 |
| 2.1 LFMCW雷达系统的组成 |
| 2.2 LFMCW雷达调制信号与原理分析 |
| 2.2.1 距离速度耦合问题 |
| 2.2.2 单周期三角波调频原理与信号分析 |
| 2.2.3 多周期三角波信号的分析 |
| 2.3 信号处理结构设计 |
| 2.3.1 整体信号处理结构 |
| 2.3.2 脉冲累计分析 |
| 2.3.3 MTI滤波器设计 |
| 2.3.4 MTD滤波器设计 |
| 2.3.5 二维CFAR设计 |
| 2.3.6 多目标的频率匹配 |
| 2.4 章节总结 |
| 第三章 雷达信号处理块的硬件结构设计 |
| 3.1 硬件设计的简要介绍 |
| 3.1.1 顶层框架结构 |
| 3.1.2 硬件工作流程解析 |
| 3.1.3 流水线技术延伸 |
| 3.2 雷达信号处理单元的分层框架 |
| 3.2.1 信号采集与FFT变换部分 |
| 3.2.2 MTI滤波与脉冲累计部分 |
| 3.2.3 多通道MTD与取模部分 |
| 3.2.4 二维恒虚警处理部分 |
| 3.2.5 多目标频率匹配部分 |
| 3.2.6 HDL的仿真与验证 |
| 3.3 章节总结 |
| 第四章 ASIC的设计与实现 |
| 4.1 ASIC设计流程简介 |
| 4.1.1 设计流程 |
| 4.1.2 工艺库简介 |
| 4.1.3 EDA环境简介 |
| 4.2 时序约束与逻辑综合 |
| 4.2.1 综合基础简介 |
| 4.2.2 时序路径约束 |
| 4.2.3 综合结果 |
| 4.3 低功耗门控时钟设计 |
| 4.3.1 低功耗设计基础 |
| 4.3.2 ICG门控结构 |
| 4.3.3 门控插入与覆盖率检查 |
| 4.4 简单STA分析 |
| 4.4.1 静态时序分析基础 |
| 4.4.2 关键时序路径解析与最大时钟频率的计算 |
| 4.5 形式验证 |
| 4.5.1 形式验证基础简介 |
| 4.5.2 RTL与网表的形式验证报告 |
| 4.6 物理设计实现 |
| 4.6.1 物理设计工作流程与基础简介 |
| 4.6.2 Floorplan设计 |
| 4.6.3 Placement设计 |
| 4.6.4 CTS设计 |
| 4.6.5 Routing设计 |
| 4.6.6 Layout完成 |
| 4.7 章节总结 |
| 第五章 板级原型验证平台的设计与测试 |
| 5.1 原型验证 |
| 5.2 板级系统组成 |
| 5.2.1 方案总览 |
| 5.2.2 收发机与三角LFM波产生电路 |
| 5.2.3 A/D采样电路 |
| 5.2.4 信号处理模块 |
| 5.3 原型板展示与测试 |
| 5.3.1 验证板展示 |
| 5.3.2 测试结果 |
| 5.4 章节总结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 改进与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（7）基于真实世界医疗大数据的中文医学本体重构的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 引言 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与研究意义 |
| 1.1.1 生物医学本体的概念与分类 |
| 1.1.2 生物医学本体的表示方法 |
| 1.1.3 生物医学本体的构建工具 |
| 1.1.4 研究意义 |
| 1.2 国内外生物医学本体发展与研究现状 |
| 1.2.1 国外生物医学本体现状 |
| 1.2.2 国内生物医学本体现状 |
| 1.3 研究方法与文章结构 |
| 第2章 生物医学本体内容重构的研究策略讨论与相关资源收集 |
| 2.1 中文生物医学本体内容重构的构建策略 |
| 2.2 中文医学本体内容重构的方法探究 |
| 2.2.1 中文生物医学本体内容重构的关键科学问题 |
| 2.2.2 中文生物医学本体内容重构的技术路径 |
| 2.2.3 资源收集与预处理 |
| 2.3 小结 |
| 第3章 面向内容重构的中文生物医学本体实体挖掘 |
| 3.1 基于有监督方法的中文医学实体挖掘 |
| 3.1.1 背景介绍 |
| 3.1.2 实验设计 |
| 3.1.3 实验结果与分析 |
| 3.1.4 总结 |
| 3.2 基于无监督方法的生物医学实体挖掘 |
| 3.2.1 背景介绍 |
| 3.2.2 实验设计 |
| 3.2.3 数据准备 |
| 3.2.4 实验流程 |
| 3.2.5 评测任务 |
| 3.2.6 实验结果与分析 |
| 3.2.7 小结 |
| 3.3 基于双语词对齐方法的生物医学实体挖掘 |
| 3.3.1 背景介绍 |
| 3.3.2 实验设计 |
| 3.3.3 实验结果与分析 |
| 3.4 结果分析与讨论 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 表型语义单元在传染疾病精细表型谱构建中的应用 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 实验设计 |
| 4.2.1 实验任务 |
| 4.2.2 实验过程与评价标准 |
| 4.3 实验结果 |
| 4.3.1 PhenoSSU模型及基于PhenoSSU的知识图谱构建 |
| 4.3.2 自动化PhenoSSU识别方法结果分析 |
| 4.3.3 PhenoSSU表达能力评价结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 成果总结 |
| 5.2 理论创新与技术创新 |
| 5.3 未来展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 附表1 UMLS词表组成 |
| 附表2 词性缩写及其作用 |
| 附表3 PhenoSSU属性定义及取值 |
| 文献综述 生物医学本体研究与应用：综述与当前发展 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 博士期间发表的学术论文与成果 |
| 第一作者或共同第一作者发表工作 |
| 其他已发表工作 |
| 待发表工作 |
（8）系统级封装的应用、关键技术与产业发展趋势研究（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 系统级封装在消费电子中的应用 |
| 2 关键系统级封装技术 |
| 2.1 高密度表面贴装技术 |
| 2.2 2.5D/3D封装技术 |
| 2.3 埋入型封装技术 |
| 2.3.1 埋入型封装技术分类 |
| 2.3.2 芯片埋入型封装工艺流程 |
| 2.4 集成无源器件技术 |
| 2.5 电磁屏蔽技术 |
| 2.5.1 电磁屏蔽技术分类 |
| 2.5.2 分腔屏蔽工艺流程 |
| 2.5.3 LGA/BGA防逸镀解决方案 |
| 2.5.4 镀层质量评估 |
| 2.5.5 薄膜镀层工艺 |
| 2.5.6 选择性屏蔽技术 |
| 2.6 封装天线技术 |
| 2.7 扇出型封装技术 |
| 2.7.1 扇出型封装技术优点 |
| 2.7.2 扇出型封装技术发展情况 |
| 2.7.3 扇出型封装工艺 |
| 2.7.4 扇出型封装技术的应用 |
| 2.8 异形封装技术 |
| 3 系统级封装的挑战及发展趋势 |
| 3.1 半导体产业链融合现象 |
| 3.2 系统级封装的挑战 |
| 3.2.1 供应链商业模型演化 |
| 3.2.2 协同设计仿真挑战 |
| 3.2.3 系统级封装测试挑战 |
| 4 封装公共服务平台的重要性 |
| 5 结论 |
（9）低损耗可光刻玻璃及通孔技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景和意义 |
| 1.1.1 转接板是后摩尔时代三维集成的核心材料 |
| 1.1.2 玻璃是射频微系统转接板的最佳解决方案 |
| 1.1.3 应用前景 |
| 1.2 国内外研究现状及发展趋势 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.2.3 可光刻玻璃损耗机理研究现状 |
| 1.2.4 发展趋势 |
| 1.3 研究内容 |
| 第二章 可光刻玻璃的熔制和冷加工 |
| 2.1 可光刻玻璃成型的基本理论 |
| 2.2 实验所用药品和设备以及性能表征和测试方法 |
| 2.2.1 实验所用试剂和设备 |
| 2.2.2 性能表征和测试方法 |
| 2.3 可光刻玻璃成型工艺研究 |
| 2.3.1 高温一次成型 |
| 2.3.2 高温二次成型 |
| 2.4 高温浇筑成型工艺 |
| 2.5 升降炉搅拌成型工艺 |
| 2.6 玻璃的冷加工 |
| 2.6.1 切割 |
| 2.6.2 研磨 |
| 2.6.3 抛光 |
| 2.7 光敏性验证 |
| 2.8 本章小结 |
| 第三章 网络修饰体对可光刻玻璃性能的影响 |
| 3.1 氧化钙对于可光刻玻璃性能的影响 |
| 3.1.1 玻璃转变温度分析 |
| 3.1.2 XRD测试验证析晶相 |
| 3.1.3 介电性能分析 |
| 3.1.4 红外光谱测试结果 |
| 3.1.5 拉曼测试结果 |
| 3.1.6 抗弯强度测试结果 |
| 3.1.7 刻蚀结果验证 |
| 3.2 不同碱土金属对可光刻玻璃性能影响的系列化研究 |
| 3.2.1 XRD测试结果分析 |
| 3.2.2 介电性能分析 |
| 3.2.3 DSC测试分析 |
| 3.2.4 耐压强度分析 |
| 3.2.5 拉曼光谱对结构进行分析 |
| 3.3 可光刻玻璃的陶瓷化研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 网络中间体对可光刻玻璃性能的影响 |
| 4.1 原子组成和玻璃网络形成 |
| 4.2 性能测试和理论分析 |
| 4.2.1 XRD结果分析 |
| 4.2.2 介电性能测试分析 |
| 4.2.3 红外和拉曼分析 |
| 4.2.4 击穿电压分析 |
| 4.2.5 刻蚀结果 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 网络形成体对可光刻玻璃性能的影响 |
| 5.1 B在玻璃网络中的位置分析 |
| 5.2 性能测试和理论分析 |
| 5.2.1 X射线衍射分析 |
| 5.2.2 介电性能分析 |
| 5.2.3 热力学性能分析 |
| 5.2.4 拉曼谱分析 |
| 5.2.5 环境考核试验 |
| 5.3 陶瓷化后的分析 |
| 5.4 刻蚀性能的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 可光刻玻璃的通孔技术及其应用 |
| 6.1 退火温度对可光刻玻璃的影响 |
| 6.1.1 DSC测试结果分析 |
| 6.1.2 不同退火温度处理结果 |
| 6.1.3 不同温度下物相分析 |
| 6.1.4 退火后SEM结果分析 |
| 6.1.5 优化退火结果 |
| 6.2 影响通孔直径的因素 |
| 6.2.1 通孔形成的五个阶段 |
| 6.2.2 曝光能量对于可光刻玻璃的影响 |
| 6.2.3 退火时间对于可光刻玻璃的影响 |
| 6.3 特殊图形的制备研究 |
| 6.3.1 槽型结构的制备研究 |
| 6.3.2 柱状结构的制备研究 |
| 6.3.3 多个异形的研究 |
| 6.4 转接板的制备 |
| 6.4.1 种子层的制备 |
| 6.4.2 孔内金属填充 |
| 6.4.3 面铜的去除 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 创新点 |
| 7.3 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间取得的成果 |
（10）后摩尔时代先进CMOS技术（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 集成电路产业现状 |
| 1.1 集成电路的战略地位 |
| 1.2 集成电路的研发成本与周期 |
| 1.3 集成电路的供需关系 |
| 2 先进技术节点下的器件结构 |
| 2.1 全耗尽绝缘层上硅（FDSOI) |
| 2.2 鳍型场效应晶体管（Fin FET) |
| 2.3 环栅场效应晶体管（GAAFET) |
| 3 先进技术节点下工艺的发展与挑战 |
| 3.1 覆盖和光刻 |
| 3.2 产品集成 |
| 3.3 涨落特性控制 |
| 3.4 设计工艺协同优化 |
| 4 结论 |
四、面临SOC时代的Foundry（论文参考文献）
- [1]中美冲突背景下华为智能手机业务竞争战略研究[D]. 彭芳兰. 对外经济贸易大学, 2021
- [2]铸造粉尘/氯氧镁水泥复合材料的制备与疏水改性研究[D]. 朱先涛. 江苏理工学院, 2021
- [3]新型三维SiGe Core-shell多栅晶体管性能的仿真研究[D]. 杨至真. 北方工业大学, 2021(01)
- [4]车规级芯片产业自主化前景[J]. 于德营,韩雅娟. 中国投资(中英文), 2021(Z5)
- [5]量子密钥分发专用数据处理芯片关键技术研究[D]. 钟晓东. 中国科学技术大学, 2021(09)
- [6]LFMCW雷达信号处理机的ASIC设计与原型实现[D]. 金梓. 电子科技大学, 2021(01)
- [7]基于真实世界医疗大数据的中文医学本体重构的研究[D]. 陈禄明. 北京协和医学院, 2021
- [8]系统级封装的应用、关键技术与产业发展趋势研究[J]. 田德文,孙昱祖,宋青林. 中国集成电路, 2021(04)
- [9]低损耗可光刻玻璃及通孔技术研究[D]. 梁天鹏. 电子科技大学, 2021(01)
- [10]后摩尔时代先进CMOS技术[J]. 金成吉,张苗苗,李开轩,刘宁,玉虓,韩根全. 微纳电子与智能制造, 2021(01)